博世创投投资基本半导体 加码SiC赛道

　　3月9日，博世旗下博世创投宣布完成对基本半导体的投资。基本半导体是一家位于深圳的碳化硅功率器件提供商，博世此举旨在进一步丰富在第三代半导体领域的布局。

　　当前，随着新能源汽车的快速发展，推动以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）等为代表的第三代半导体也随之迎来爆发风口。因为相较于砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP)等第二代半导体，第三代半导体具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，可以更好地满足新能源汽车的发展需求。特别是碳化硅，作为制造MOSFET、IGBT、SBD等高耐压、大功率电力电子器件的主要材料，正广泛用于新能源汽车领域。

　　据相关预测数据显示，到2025年，新能源汽车与充电桩领域的碳化硅市场将达到17.78亿美元，约占碳化硅总市场规模的七成。言外之意即，新能源汽车行业将是碳化硅市场最大的驱动力。

　　正因为如此，当前很多企业都在积极布局碳化硅领域。其中博世早在2019年就开始试水碳化硅芯片研发。2020年北京车展，博世碳化硅功率器件首次在全球对外亮相，该产品可助力电动汽车和混合动力汽车增加约6%的续航里程，极大地降低能源消耗。

　　在博世看来，碳化硅一定是未来的大方向，因为与传统硅基材料产品相比，碳化硅功率器件在实现更高开关频率的同时，可保持较低能量损耗和较小芯片面积，节能效果更好。为此，近两年博世一直在不断加大相关技术领域的投入，并已开始在位于德国的两家芯片工厂里生产碳化硅芯片，用于取代IGBT。

　　此次投资基本半导体，无疑是博世强化碳化硅布局又一重要举措。作为中国第三代半导体行业的重要参与者之一，基本半导体主要致力于碳化硅功率器件的研发与产业化，涵盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等产业全链条，并先后推出了全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品。

　　其中车规级全碳化硅功率模块是专门针对新能源汽车电机控制器开发，搭载了8颗碳化硅MOSFET芯片，具有高功率密度、高可靠性、低模块内部寄生电感、低热阻等性能优势，该产品将于2021年实现量产。

　　伴随着产品方面取得的重大突破，今年2月，基本半导体还在日本名古屋正式注册成立了基本半导体株式会社，以利用日本在半导体、汽车等产业的人才和技术优势，加快推动车规级碳化硅功率模块产品的研发和产业化，同时发力全球化布局。